Analytical Model of Random Variation in Drain Current of FGMOSFET

Last modified: December 26, 2018
You are here:
  • KB Home
  • Analytical Model of Random Variation in Drain Current of FGMOSFET
Estimated reading time: < 1 min

บทความวิชาการ

 

ชื่อบทความ (ภาษาไทย)

แบบจำลองเชิงวิเคราะห์ของการเปลี่ยนแปลงแบบสุ่มในกระแสเดรนของโฟลทติ้งเกทมอสเฟ็ต

ชื่อบทความ (ภาษาอังกฤษ)       

Analytical Model of Random Variation in Drain Current of FGMOSFET

ชื่อผู้จัดทำ

ผศ. ดร. รวิศวร์ บานชื่น

lสาขา วิศวกรรมศาสตร์และอุตสาหกรรมวิจัย
ปีการศึกษา 2557 

ลำดับที่ http://www.research-system.siam.edu/none); background-attachment: scroll; background-color: rgb(102, 102, 102); background-position: 0% 0%; background-repeat: repeat;”>เนื้อหา ไฟล์ (PDF)
1 บทคัดย่อภาษาไทย 01.pdf
2 บทความ 02.pdf
3 บทคัดย่อภาษาอังกฤษ 03.pdf
Was this article helpful?
Dislike 0
Views: 13