Probabilistic Modelling of Variation in FGMOSFET Devices

Last modified: December 26, 2018
You are here:
  • KB Home
  • Probabilistic Modelling of Variation in FGMOSFET Devices
Estimated reading time: < 1 min
ชื่องานวิจัยภาษาไทย

การสร้างแบบจำลองความน่าจะเป็นของการเปลี่ยนแปลงแบบสุ่มของอุปกรณ์เอฟจีมอสเฟท

ชื่องานวิจัยภาษาอังกฤษ

Probabilistic Modelling of Variation in FGMOSFET Devices

ชื่อผู้วิจัย

ผศ. ดร. รวิศวร์ บานชื่น

สาขา วิศวกรรมศาสตร์
ปีการศึกษา 2559
ลำดับที่ เนื้อหา ไฟล์ (PDF)
1 บทคัดย่อ (ภาษาไทย)

01_abs.pdf

Was this article helpful?
Dislike 0
Views: 12