Alpha Power Law Based Model of Random Variation in Nanometer FGMOSFET

Last modified: May 24, 2020
Estimated reading time: < 1 min
ชื่องานวิจัย

(ไทย)

 

แบบจำลองของความแปรผันของเอฟจีมอสเฟทบนพื้นฐานของอัลฟาพาวเวอร์ลอว์

ชื่องานวิจัย

(อังกฤษ)

Alpha Power Law Based Model of Random Variation in Nanometer FGMOSFET

ชื่อผู้วิจัย ผศ. ดร. รวิศวร์ บานชื่น
สาขาวิชา วิศวกรรมศาสตร์และอุตสาหกรรมวิจัย (วิศวกรรมศาสตร์)
ปีการศึกษา 2559

[Mwb-Qr-Code]

ลำดับที่ เนื้อหา ไฟล์ (PDF)
1 บทคัดย่อไทย 01.pdf
2 บทคัดย่ออังกฤษ 02.pdf
3 บทความวิจัย 03.pdf

 

Alpha Power Law Based Model of Random Variation in Nanometer FGMOSFET

 

 

เนื้อหาเนื้อหา

Tags:
Was this article helpful?
Dislike 0
Views: 30