| ชื่องานวิจัย
(ไทย) |
แบบจำลองของความแปรผันของเอฟจีมอสเฟทบนพื้นฐานของอัลฟาพาวเวอร์ลอว์ |
| ชื่องานวิจัย
(อังกฤษ) |
Alpha Power Law Based Model of Random Variation in Nanometer FGMOSFET |
| ชื่อผู้วิจัย | ผศ. ดร. รวิศวร์ บานชื่น |
| สาขาวิชา | วิศวกรรมศาสตร์และอุตสาหกรรมวิจัย (วิศวกรรมศาสตร์) |
| ปีการศึกษา | 2559 |
[Mwb-Qr-Code]
| ลำดับที่ | เนื้อหา | ไฟล์ (PDF) |
| 1 | บทคัดย่อไทย | 01.pdf |
| 2 | บทคัดย่ออังกฤษ | 02.pdf |
| 3 | บทความวิจัย | 03.pdf |
Alpha Power Law Based Model of Random Variation in Nanometer FGMOSFET
เนื้อหาเนื้อหา