| Research Article: | Alpha Power Law Based Model of Random Variation in Nanometer FGMOSFET |
| ชื่อบทความ: | แบบจำลองของความแปรผันของเอฟจีมอสเฟทบนพื้นฐานของอัลฟาพาวเวอร์ลอว์ |
| Author|ผู้เขียน: | Rawid Banchuin & Rounsan Chaisricharoen| รวิศวร์ บานชื่น และ รังสรรค์ ชัยศรีเจริญ |
| Email: | rawid.ban@siam.edu |
| Department|Faculty: | Graduate School of Information Technologys, Siam University, Bangkok 10160 |
| สาขาวิชา|คณะ: | บัณฑิตวิทยาลัย สาขาเทคโนโลยีสารสนเทศ มหาวิทยาลัยสยาม กรุงเทพฯ 10160 |
| Published|แหล่งเผยแพร่: | 2017 International Conference on Digital Arts, Media and Technology (ICDAMT), pp. 250-253, doi: 10.1109/ICDAMT.2017.7904971 |
Citation
Banchuin R., & Chaisricharoen R. (2017). Alpha power law based model of random variation in nanometer FGMOSFET. In 2017 International Conference on Digital Arts, Media and Technology (ICDAMT) (pp. 250-253). IEEE. doi: 10.1109/ICDAMT.2017.7904971.
รวิศวร์ บานชื่น และ รังสรรค์ ชัยศรีเจริญ. (2560). แบบจำลองของความแปรผันของเอฟจีมอสเฟทบนพื้นฐานของอัลฟาพาวเวอร์ลอว์. ใน 2017 International Conference on Digital Arts, Media and Technology (ICDAMT) (หน้า 250-253). IEEE. doi: 10.1109/ICDAMT.2017.7904971.
ABSTRACT
The alpha power law based model of random variation in drain current of an unconventional MOSFET namely Floating-Gate MOSFET (FGMOSFET) has been proposed where the nanometer level technology has been focused. The process induced device level random variations and their statistical correlations have been taken into account. The model has been found to be very accurate since it can accurately fit the 65 nm SPICE BSIM4 based reference obtained by using Monte-Carlo SPICE. So, it has been found to be efficient for the variability aware analysis and design of FGMOSFET based circuit at nanometer regime.
Keywords: alpha power law, CMOS, circuit, FGMOSFET, nanometer.
บทคัดย่อ
บทความวิจัยนี้ได้ทำการนำเสนอแบบจำลองที่มีพื้นฐานมาจากอัลฟ่าพาวเวอร์ลอว์ของความแปรผันในกระแสเดรนของเอฟจีมอสเฟทที่ถูกสร้างขึ้นด้วยระดับนาโนเมตรโดยคำนึงถึงความแปรผันแบบสุ่มอันเนื่องมาจากกระบวนการผลิตชนิดต่างๆ รวมถึงสหสัมพันธ์เชิงสถิติของความแปรผันเหล่านี้ แบบจำลองดังกล่าวมีความแม่นยำสูงเนื่องจากมีความสอดคล้องเป็นอย่างมากกับค่าอ้างอิงที่ได้มาจากการจำลองด้วยคอมพิวเตอร์แบบมอนติคาร์โลด้วยโปรแกรมสไปซ์บนพื้นฐานของ BSIM4 ที่อ้างอิงกับเทคโนโลยีซีมอสระดับ 65 nm ดังนั้นแบบจำลองนี้จึงเป็นประโยชน์อย่างมากต่อการวิเคราะห์และออกแบบโดยคำนึงถึงความแปรผันสำหรับวงจรต่างๆที่ใช้เอฟจีมอสเฟต
Alpha Power Law Based Model of Random Variation in Nanometer FGMOSFET|แบบจำลองของความแปรผันของเอฟจีมอสเฟทบนพื้นฐานของอัลฟาพาวเวอร์ลอว์
Graduate Schools, Siam University, Bangkok, Thailand
