Alpha Power Law Based Model of Random Variation in Nanometer FGMOSFET

Last modified: April 21, 2022
Estimated reading time: 1 min
Research Article: Alpha Power Law Based Model of Random Variation in Nanometer FGMOSFET
ชื่อบทความ: แบบจำลองของความแปรผันของเอฟจีมอสเฟทบนพื้นฐานของอัลฟาพาวเวอร์ลอว์
Author|ผู้เขียน: Rawid Banchuin & Rounsan Chaisricharoen| รวิศวร์ บานชื่น และ รังสรรค์ ชัยศรีเจริญ
Email: rawid.ban@siam.edu
Department|Faculty: Graduate School of Information Technologys, Siam University, Bangkok 10160
สาขาวิชา|คณะ: บัณฑิตวิทยาลัย สาขาเทคโนโลยีสารสนเทศ มหาวิทยาลัยสยาม กรุงเทพฯ 10160
Published|แหล่งเผยแพร่: 2017 International Conference on Digital Arts, Media and Technology (ICDAMT), pp. 250-253, doi: 10.1109/ICDAMT.2017.7904971

Citation

Banchuin R., & Chaisricharoen R. (2017). Alpha power law based model of random variation in nanometer FGMOSFET. In 2017 International Conference on Digital Arts, Media and Technology (ICDAMT) (pp. 250-253). IEEE. doi: 10.1109/ICDAMT.2017.7904971.


ABSTRACT

The alpha power law based model of random variation in drain current of an unconventional MOSFET namely Floating-Gate MOSFET (FGMOSFET) has been proposed where the nanometer level technology has been focused. The process induced device level random variations and their statistical correlations have been taken into account. The model has been found to be very accurate since it can accurately fit the 65 nm SPICE BSIM4 based reference obtained by using Monte-Carlo SPICE. So, it has been found to be efficient for the variability aware analysis and design of FGMOSFET based circuit at nanometer regime.

Keywords: alpha power law, CMOS, circuit, FGMOSFET, nanometer.


บทคัดย่อ

     บทความวิจัยนี้ได้ทำการนำเสนอแบบจำลองที่มีพื้นฐานมาจากอัลฟ่าพาวเวอร์ลอว์ของความแปรผันในกระแสเดรนของเอฟจีมอสเฟทที่ถูกสร้างขึ้นด้วยระดับนาโนเมตรโดยคำนึงถึงความแปรผันแบบสุ่มอันเนื่องมาจากกระบวนการผลิตชนิดต่างๆ รวมถึงสหสัมพันธ์เชิงสถิติของความแปรผันเหล่านี้ แบบจำลองดังกล่าวมีความแม่นยำสูงเนื่องจากมีความสอดคล้องเป็นอย่างมากกับค่าอ้างอิงที่ได้มาจากการจำลองด้วยคอมพิวเตอร์แบบมอนติคาร์โลด้วยโปรแกรมสไปซ์บนพื้นฐานของ BSIM4 ที่อ้างอิงกับเทคโนโลยีซีมอสระดับ 65 nm ดังนั้นแบบจำลองนี้จึงเป็นประโยชน์อย่างมากต่อการวิเคราะห์และออกแบบโดยคำนึงถึงความแปรผันสำหรับวงจรต่างๆที่ใช้เอฟจีมอสเฟต


Alpha Power Law Based Model of Random Variation in Nanometer FGMOSFET|แบบจำลองของความแปรผันของเอฟจีมอสเฟทบนพื้นฐานของอัลฟาพาวเวอร์ลอว์

Graduate Schools, Siam University, Bangkok, Thailand

Tags:
Was this article helpful? บทความนี้เป็นประโยชน์หรือไม่?
ไม่ / Dislike 0
Views: 57
Previous: Probabilistic Modelling of Variation in FGMOSFET Devices
Next: Novel expressions for time domain responses of fractance device