Analysis of Random Variation in Subthreshold FGMOSFET

Last modified: May 24, 2020
Estimated reading time: < 1 min
ชื่องานวิจัยภาษาไทย การวิเคราะห์ของการเปลี่ยนแปลงแบบสุ่มของโฟลทติ้งเกทมอสเฟตในย่านซับเทรโชลด์
ชื่องานวิจัยภาษาอังกฤษ

Analysis of Random Variation in Subthreshold FGMOSFET

ชื่อผู้วิจัย ผศ. ดร. รวิศวร์ บานชื่น
สาขา สาขาวิศวกรรมศาสตร์และอุตสาหกรรมวิจัย
ปีการศึกษา 2559
ลำดับที่ เนื้อหา ไฟล์ (PDF)
1 บทคัดย่อภาษาไทย 01_thai_abs.pdf
2 บทคัดย่อภาษาอังกฤษ 02_eng_abs.pdf
3 บทความวิจัย 03_article.pdf

[Mwb-Qr-Code]

Tags:
Was this article helpful? บทความนี้เป็นประโยชน์หรือไม่?
ไม่ / Dislike 0
Views: 137
Previous: Novel expressions for time domain responses of fractance device
Next: Social Network Analysis and Role Hierarchy Mining through MXML-based Event Logs